闪存盘和u盘一样吗（从它们背后的黑科技说起）

时间仅仅间隔了19个月，三星宣布将再次升级，正式开始量产第五代闪存——3D V-Nand，可以说这项黑科技让其在该领域领先了同行业两年有余。处理速度达到每秒1.4Gb，比第四代快40%。如今这个时代，几乎每个行业都有着各种的领跑者，他们充当着老大哥的角色，一骑红尘，无人能敌。

闪存（Flash Memory）是一类非易失性存储器NVM（Non-Volatile Memory），即使在供电电源关闭后仍能保持片内信息。和易失性存储器（DRAM、SRAM）相比，具有在系统中电可擦除和可重复编程、成本低、密度大等特点。人们一直热衷于闪存的研究，从论文发表网站知网搜索可以看出，关于闪存的研究在1994年逐渐增加，特别是在2005年左右达到了高峰。

移动设备早期的储存量只有几个K，之后经历了USB小钥匙、USB活动硬盘，直到以Flash作为存储介质的真正能够“移动”闪盘和U盘。闪存主要由存储元、闪存控制器两部分构成。存储元通过在浮置栅极中存放电荷来存储数据，氧化层的绝缘功能保证了闪存中的数据在断电时也不会丢失。当然，闪存也有着局限性：1、是闪存在重写之前必须进行擦除；2、擦除块的擦除次数是有限的。尽管如此，图灵奖获得者Gray曾预测：“就像磁盘取代磁带一样，闪存将会取代磁盘”。

U盘，全称USB闪存盘（USB flash disk），其实就是闪存盘里的一种。顾名思义，允许通过USB（通用串行总线，Universal Serial Bus）进行数据传输。闪存按种类分的话，包括：U盘、CF卡、SM卡、SD/MMC卡、记忆棒、XD卡、MS卡、TF卡、PCIe闪存卡等等。所以，大可不必纠结U盘和闪存的异同点。倒是U盘专利的故事更有趣：U盘早期叫“优盘”，之后生产的类似技术的设备由于朗科已进行专利注册，而不能再称之为"优盘"，而改称谐音的"U盘"。

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